硅片的等级:
MG-Si → SeG-Si → SoG-Si
提炼要经过一下过程:
石英砂→冶金级硅→提炼和精炼→沉积多晶硅锭→单晶硅→硅片切割。
冶金级硅MG-Si
提炼硅的原始材料是SiO2,主要是砂成分,目前采用SiO2的结晶岩即石灰岩,在大型的电弧炉中用碳还原:SiO2+2C→Si+2CO
定期倒出炉,用氧气、氧氯混合气体提纯,然后倒入浅槽在槽中凝固,随后被捣成块状。
MG-Si提纯为SeG-Si
提炼标准方法为:西门子工。
MG-Si被转变为挥发性的化合物,接着采用分馏的方法将其冷凝被提纯。
工艺程序:用Hcl把细碎的MG-Si变成流体
使用催化剂加速反应进行:Si+3Hcl→SiHcl3+H2
MG-Si →SiHcl3 硅胶工业原材料
为提取MG-Si可加热混合气体使SiHcl3 被H2还原,硅以细晶粒的多晶硅形成沉积到电加热棒上如右:SiHcl3+H2 →Si+3Hcl
SeG-Si提纯到SoG-Si
将SeG-Si多晶硅熔融,同时加入器件所需的微量参杂剂,通常采用硼(P型参杂剂)。
在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够成熔融的硅中拉出大圆柱形的单晶硅棒。直径过125cm长度为1~2m。
手工录入,忘采纳,有追问亦可。
多晶硅太阳能电池制造工艺简述 关于光的吸收 对于光吸收主要是: (1)降低表面反射;(2)改变光在电池体内的路径;(3)采用背面反射。
对于单晶硅,应用各向异性化学腐蚀的方法可在(100)表面制作金字塔状的绒面结构,降低表面光反射。 但多晶硅晶向偏离(100)面,采用上面的方法无法作出均匀的绒面,目前大多采用下列方法: [1]激光刻槽:用激光刻槽的方法可在多晶硅表面制作倒金字塔结构,在 500~900nm 光谱范围内,反射率为 4~6%,与表面制作双层减反射膜相当。
而在(100)面单晶硅化学制作绒面的反射率为 11%。 用激光制作绒面比在光滑面镀双层减反射膜层(ZnS/MgF2)电池的短路电流要提高 4%左右,这主要是长波光(波长大于 800nm)斜射进入电池的原因。
激光制作绒面存在的问题是在刻蚀中,表面造成损伤同时引入一些杂质,要通过化学处理去除表面损伤层。该方法所作的太阳电池通常短路电流较高,但开路电压不太高,主要原因是电池表面积增加,引起复合电流提高。
[2]化学刻槽:应用掩膜(Si3N4 或 SiO2)各向同性腐蚀,腐蚀液可为酸性腐蚀液,也可为浓度较高的氢氧化钠或氢氧化钾溶液, 该方法无法形成各向异性腐蚀所形成的那种尖锥状结构。 据报道,该方法所形成的绒面对 700~1030 微米光谱范围有明显的减反射作用。
但掩膜层一般要在较高的温度下形成,引起多晶硅材料性能下降,特别对质量较低的多晶材料,少子寿命缩短。应用该工艺在 225cm2 的多晶硅上所作电池的转换效率达到 16.4%。
掩膜层也可用丝网印刷的方法形成。 [3]反应离子腐蚀 (RIE):该方法为一种无掩膜腐蚀工艺, 所形成的绒面反射率特别低, 450~在 1000 微米光谱范围的反射率可小于 2%。
仅从光学的角度来看,是一种理想的方法,但存在的问题是硅表面损伤严重,电池的开路电压和填充因子出现下降。 [4]制作减反射膜层:对于高效太阳电池,最常用和最有效的方法是蒸镀 ZnS/MgF2 双层减反射 膜,其最佳厚度取决于下面氧化层的厚度和电池表面的特征,例如,表面是光滑面还是绒面,减反射工艺也有蒸镀 Ta2O5, PECVD 沉积 Si3N3 等。
ZnO 导电膜也可作为减反材料。 金属化技术在高效电池的制作中,金属化电极必须与电池的设计参数,如表面掺杂浓度、PN 结深,金属材料相匹配。
实验室电池一般面积比较小(面积小于 4cm2),所以需要细金属栅线(小于 10 微米),一般采用的方法为光刻、电子束蒸发、电子镀。工业化大生产中也使用电镀工艺,但蒸发和光刻结合使用时,不属于低成本工艺技术。
[1]电子束蒸发和电镀:通常,应用正胶剥离工艺,蒸镀 Ti/Pa/Ag 多层金属电极,要减小金属电极 所引起的串联电阻,往往需要金属层比较厚(8~10 微米)。缺点是电子束蒸发造成硅表面/钝化 层介面损伤,使表面复合提高,因此,工艺中,采用短时蒸发 Ti/Pa 层,在蒸发银层的工艺。
另一个问题是金属与硅接触面较大时,必将导致少子复合速度提高。 在这一工艺中,采用了隧道结接触的方法,在硅和金属成间形成一个较薄的氧化层(一般厚度为 20 微米左右)应用功函数较低的金属(如钛等)可在硅表面感应一个稳定的电子积累层(也可引入固定正电荷加深反型)。
另外一种方法是在钝化层上开出小窗口(小于 2 微米),再淀积较宽的金属栅线(通常为 10 微米),形成 mushroom—like 状电极,用该方法在 4cm2 Mc-Si 上电池的转换效率达到 17.3%。目前,在机械 刻槽表面也运用了 Shallow angle (oblique)技术。
PN 结的形成技术 [1]发射区形成和磷吸杂:对于高效太阳能电池, 发射区的形成一般采用选择扩散, 在金属电极下方形成重杂质区域而在电极间实现浅浓度扩散, 发射区的浅浓度扩散即增强了电池对蓝光的响应,又使硅表面易于钝化。扩散的方法有两步扩散工艺、扩散加腐蚀工艺和掩埋扩散工艺。
目前采用选择扩散,15*15cm2 电池转换效率达到 16.4%,n++、n+区域的表面方块电阻分别为 20Ω和 80Ω.对于 Mc—Si 材料, 扩磷吸杂对电池的影响得到广泛的研究, 较长时间的磷吸杂过程 (一般 3~ 4 小时),可使一些 Mc—Si 的少子扩散长度提高两个数量级。在对衬底浓度对吸杂效应的研究中发现,即便对高浓度的衬第材料,经吸杂也能够获得较大的少, 子扩散长度 (大于 200 微米) 电池的开路电压大于 638mv, 转换效率超过 17%。
[2]背表面场的形成及铝吸杂技术:在 Mc—Si 电池中,背 p+p 结由均匀扩散铝或硼形成,硼源一般为 BN、BBr、APCVD SiO2:B2O8 等,铝扩散为蒸发或丝网印刷铝,800 度下烧结所完成,对铝吸杂的作用也开展了大量的研究,与磷扩散 吸杂不同,铝吸杂在相对较低的温度下进行。其中体缺陷也参与了杂质的溶解和沉积,而在较高温度下,沉积的杂质易于溶解进入硅中,对 Mc—Si 产生不利的影响。
到目前为至,区域背场已应用于单晶硅电池工艺中,但在多晶硅中,还是应用全铝背表面场结构。 多晶硅制造工艺根据生产原材料的不同,使用不同的设备,运用不同的生产工艺、方法制造多晶硅。
多晶硅制造工艺,目前主流的方法多是采用改良西门子工艺技术: 多晶硅是由硅。
纯净的硅(Si)是从自然界中的石英矿石(主要成分二氧化硅)中提取出来的,分几步反应:
1.二氧化硅和炭粉在高温条件下反应,生成粗硅:
SiO2+2C==Si(粗)+2CO
2.粗硅和氯气在高温条件下反应生成氯化硅:
Si(粗)+2Cl2==SiCl4
3.氯化硅和氢气在高温条件下反应得到纯净硅:
SiCl4+2H2==Si(纯)+4HCl
以上是硅的工业制法,在实验室中可以用以下方法制得较纯的硅:
1.将细砂粉(SiO2)和镁粉混合加热,制得粗硅:
SiO2+2Mg==2MgO+Si(粗)
2.这些粗硅中往往含有镁,氧化镁和硅化镁,这些杂质可以用盐酸除去:
Mg+2HCl==MgCl2+H2
MgO+2HCl==MgCl2+H2O
Mg2Si+4HCl==2MgCl2+SiH4
3.过滤,滤渣即为纯硅
制造太阳能电池的硅片和其制造方法及装置,该硅片是由低纯度硅
底板和高纯度硅层构成,高纯度硅层是用熔融状态的高纯度硅的硅原子在低纯度硅底板上结
晶凝固而成,可以大大提高硅片的高纯度硅的利用率。并提供了六种硅片的制造方法及装置,
分别是甩脱式硅片制造方法及装置,倾斜式硅片制造方法及装置,连续式硅片制造方法及装
置,模铸式硅片制造方法及装置,竖立式硅片制造方法及装置和滚涂式硅片制造方法和装置。
超薄太阳能级硅片本体为上、下两平行平面组成的方形薄片,方形薄片四角为
四个相同的45°倒角,上、下两平面的距离为165μm-195μm范围,翘曲度
小于75μm,表面光洁、平整、无瑕疵。超薄太阳能级硅片切割工艺是采用硅
晶棒开方机将硅晶圆棒直接切割成截面为方形、四角为相同45°倒角的八角方
型柱体,切削余料为块状,可回炉再利用。还采用优化切割工艺在多线切割机
上切割成超薄太阳能级硅片,保证超薄太阳能级硅片的制造质量,提高生产效
率,降低了超薄太阳能级硅片的制造成本。
在太阳能电池片生产的硅片处理过
程中,硅片可能会从载片篮中浮起。本实用新型包括对称设置的两片放置
板,放置板上平行设置有多个放置槽,两片放置板的一边通过连接片连接、
另一边通过连接条连接,形成方筐结构。每个放置板的两个侧边开有限位
条安装口,限位条架设在两片放置板上。所述的限位条为工字形,其四个
角与对应的放置板的安装口活动连接。本实用新型结构简单,限位条的设
置有效避免了硅片从载片篮中浮起的发生。
太阳能电池硅片的传
输装置,它包括两个相同规格的支撑架,每一个支撑架都包括第一梯级和第二
梯级,第一梯级位于第二梯级的外侧,第一梯级的高度比第二梯级的高度高。
该太阳能电池硅片的传输装置的优点在于当硅片大小和形状改变的情况下,不需要更换运输装置的任何部分,这样可以省去了更换后的校准等工作。
切割线直径
更细的切割线意味着更低的截口损失,也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而,切割线更细更容易断裂。
荷载
每次切割的总面积,等于硅片面积X每次切割的硅块数量X每个硅块所切割成的硅片数量 。
切割速度
切割台通过切割线切割网的速度,这在很大程度上取决于切割线运动速度,马达功率和切割线拉力。
易于维护性
线锯在切割之间需要更换切割线和研磨浆,维护的速度越快,总体的生产力就越高。
生产商必须平衡这些相关的因素使生产力达到最大化。更高的切割速度和更大的荷载将会加大切割切割线的拉力,增加切割线断裂的风险。由于同一硅块上所有硅片是同时被切割的,只要有一条切割线断裂,所有部分切割的硅片都不得不丢弃。 然而,使用更粗更牢固的切割线也并不可取,这会减少每次切割所生产的硅片数量,并增加硅原料的消耗量。
硅片厚度也是影响生产力的一个因素,因为它关系到每个硅块所生产出的硅片数量。超薄的硅片给线锯技术提出了额外的挑战,因为其生产过程要困难得多。除了硅片的机械脆性以外,如果线锯工艺没有精密控制,细微的裂纹和弯曲都会对产品良率产生负面影响。超薄硅片线锯系统必须可以对工艺线性、切割线速度和压力、以及切割冷却液进行精密控制。
无论硅片的厚薄,晶体硅光伏电池制造商都对硅片的质量提出了极高的要求。硅片不能有表面损伤(细微裂纹、线锯印记),形貌缺陷(弯曲、凹凸、厚薄不均)要最小化,对额外后端处理如抛光等的要求也要降到最低。 现况
为了满足市场对于更低成本和更高生产力的要求,新一代线锯必须提升切割速度,使用更长的硅块从而提高切割荷载。更细的切割线和更薄的硅片都提升了生产力,同时,先进的工艺控制可以管理切割线拉力以此保持切割线的牢固性。
使用不止一组切割切割线是在保持速度的前提下提高机台产量的一个创新方法。应用材料公司最新的MaxEdge 系统采用了独特的两组独立控制的切割组件。
MaxEdge是业界第一个专门设计使用细切割线的线锯系统 ,最低可达到80μm。相对于业界领先的应用材料公司HCT B5线锯系统,这些改进减少了硅料损失使产量提高多达50%。
更高生产力的线锯系统在同样的硅片产量下可以减少机台数量。因此,制造商可以大幅降低设备、操作人员和维护的成本。
降低硅片的消耗量也就是直接降低了太阳能电力的每瓦成本。
线锯产品市场
硅片供应商和希望自己控制切片工艺的整合晶体硅光伏组件生产商都需要使用线锯设备。单晶硅和多晶硅光伏技术都需要使用到它。
大多数光伏线锯设备是硅片供应商购买的。他们一般生长硅锭或者硅块、将硅原料切合处理成硅片,最终销售给光伏电池制造商用于制造电池。业界最成功的应用材料公司HCT B5线锯系统的装机量超过500台,是光伏切片领域的标杆产品。
结论
在光伏领域,线锯技术的进步缩小了硅片厚度并降低了切割过程中的材料损耗,从而减少了太阳能电力的硅材料消耗量。(因此,线锯技术对于降低太阳能每瓦成本并最终促使其达到电网平价起到了至关重要的作用。最新最先进的线锯技术带来了很多创新,提高了生产力并通过更薄的硅片减少了硅材料的消耗。
太阳能电池片生产制造工艺 太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。
具体介绍如下: 一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量,这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中,光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组,其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型,另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前,需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测,并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片,并且能够将不合格品放到固定位置,从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀,在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液,可用的碱有氢氧化钠,氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅,腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面,还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂,以加快硅的腐蚀。制备绒面前,硅片须先进行初步表面腐蚀,用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20~25μm,在腐蚀绒面后,进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存,以防沾污,应尽快扩散制结。 三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。
把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内,在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器,通过三氯氧磷和硅片进行反应,得到磷原子。经过一定时间,磷原子从四周进入硅片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散,形成了N型半导体和P型半导体的交界面,也就是PN结。
这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。
因为正是PN结的形成,才使电子和空穴在流动后不再回到原处,这样就形成了电流,用导线将电流引出,就是直流电。 四、去磷硅玻璃 该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中,通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡,使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。
在扩散过程中,POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子,这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2,称之为磷硅玻璃。
去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成,主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水,热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。
若氢氟酸过量,反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 五、等离子刻蚀 由于在扩散过程中,即使采用背靠背扩散,硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。
PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面,而造成短路。因此,必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。
通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。
等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面,在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应,并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面,被真空系统抽出腔体。
六、镀减反射膜 抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。
PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体SiH4和NH3,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。
一般情况下,使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的。
如果问及CPU的原料是什么,大家都会轻而易举的给出答案—是硅。
这是不假,但硅又来自哪里呢?其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧,价格昂贵,结构复杂,功能强大,充满着神秘感的CPU竟然来自那根本一文不值的沙子。
当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。不过不是随便抓一把沙子就可以做原料的,一定要精挑细选,从中提取出最最纯净的硅原料才行。
试想一下,如果用那最最廉价而又储量充足的原料做成CPU,那么成品的质量会怎样,你还能用上像现在这样高性能的处理器吗? 除去硅之外,制造CPU还需要一种重要的材料就是金属。目前为止,铝已经成为制作处理器内部配件的主要金属材料,而铜则逐渐被淘汰,这是有一些原因的,在目前的CPU工作电压下,铝的电迁移特性要明显好于铜。
所谓电迁移问题,就是指当大量电子流过一段导体时,导体物质原子受电子撞击而离开原有位置,留下空位,空位过多则会导致导体连线断开,而离开原位的原子停留在其它位置,会造成其它地方的短路从而影响芯片的逻辑功能,进而导致芯片无法使用。这就是许多Northwood Pentium 4换上SNDS(北木暴毕综合症)的原因,当发烧友们第一次给Northwood Pentium 4超频就急于求成,大幅提高芯片电压时,严重的电迁移问题导致了CPU的瘫痪。
这就是intel首次尝试铜互连技术的经历,它显然需要一些改进。不过另一方面讲,应用铜互连技术可以减小芯片面积,同时由于铜导体的电阻更低,其上电流通过的速度也更快。
除了这两样主要的材料之外,在芯片的设计过程中还需要一些种类的化学原料,它们起着不同的作用,这里不再赘述。CPU制造的准备阶段 在必备原材料的采集工作完毕之后,这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。
而作为最主要的原料,硅的处理工作至关重要。首先,硅原料要进行化学提纯,这一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。
而为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要,还必须将其整形,这一步是通过溶化硅原料,然后将液态硅注入大型高温石英容器而完成的。而后,将原料进行高温溶化。
中学化学课上我们学到过,许多固体内部原子是晶体结构,硅也是如此。为了达到高性能处理器的要求,整块硅原料必须高度纯净,及单晶硅。
然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出,此时一个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看,硅锭圆形横截面的直径为200毫米。
不过现在intel和其它一些公司已经开始使用300毫米直径的硅锭了。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度的,不过只要企业肯投入大批资金来研究,还是可以实现的。
intel为研制和生产300毫米硅锭而建立的工厂耗费了大约35亿美元,新技术的成功使得intel可以制造复杂程度更高,功能更强大的集成电路芯片。而200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。
下面就从硅锭的切片开始介绍CPU的制造过程。在制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后,下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片,切片越薄,用料越省,自然可以生产的处理器芯片就更多。
切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑,之后检查是否有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要,它直接 决定了成品CPU的质量。
新的切片中要掺入一些物质而使之成为真正的半导体材料,而后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空隙,彼此之间发生原子力的作用,从而使得硅原料具有半导体的特性。
今天的半导体制造多选择CMOS工艺(互补型金属氧化物半导体)。其中互补一词表示半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。
而N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下,切片被掺入化学物质而形成P型衬底,在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计,这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。
同时在多数情况下,必须尽量限制pMOS型晶体管的出现,因为在制造过程的后期,需要将N型材料植入P型衬底当中,而这一过程会导致pMOS管的形成。 在掺入化学物质的工作完成之后,标准的切片就完成了。
然后将每一个切片放入高温炉中加热,通过控制加温时间而使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度,空气成分和加温时间,该二氧化硅层的厚度是可以控制的。
在intel的90纳米制造工艺中,门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分,晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动,通过对门电压的控制,电子的流动被严格控制,而不论输入输出端口电压的大小。
准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。
这层物质在干燥时具有很好的感光效果,而且在光刻蚀过程结束之后,能够通过化学方法将其溶解并除去。 光刻蚀 这是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤,为什么这么说呢?光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕, 由此改变该处材料的化学特性。
这项技术对于所用光的波长要求极为严格,。
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