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首页 » 基础知识 » 模电微盘(模拟电路)

模电微盘(模拟电路)

分类:基础知识 日期:2022-06-17 08:18 浏览:8 次

1.模拟电路基础知识

原发布者:zhanghefangha

第1章电路的基础知识1.1电路和电路模型1.2电路中的主要物理量1.3电路的基本元件1.4基尔霍夫定律1.5基尔霍夫定律1.6简单电阻电路的分析方法第1章电路的基础知识本章要求:本章要求:1.理解电压与电流参考方向的意义;1.理解电压与电流参考方向的意义;理解电压与电流参考方向的意义2.理解电路的基本定律并能正确应用;理解电路的基本定律并能正确应用;3.了解电路的有载工作、开路与短路状态,了解电路的有载工作、开路与短路状态,理解电功率和额定值的意义;理解电功率和额定值的意义;4.会计算电路中各点的电位。会计算电路中各点的电位。1.1电路和电路模型电路是电流的通路,电路是电流的通路,是为了某种需要由电工设备或电路元件按一定方式组合而成。或电路元件按一定方式组合而成。1.电路的作用(1)实现电能的传输、分配与转换实现电能的传输、发电机升压变压器输电线降压变压器电灯电动机电炉。(2)实现信号的传递与处理(2)实现信号的传递与处理话筒扬声器放大器2.电路的组成部分电路的组成部分电源:电源提供电能的装置升压变压器输电线负载:负载取用电能的装置电灯电动机电炉。发电机降压变压器中间环节:传递、中间环节:传递、分配和控制电能的作用2.电路的组成部分2.电路的电路的组成部分信号源:信号源提供信息信号处理:信号处理:放大、调谐、放大、调谐、检波等话

2.模电,模拟电子技术基础

第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法Ø 直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。*三种模型Ø 微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章 三极管及其基本放大电路1.类型---分为NPN和PNP两种。2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触 面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。

二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态。

3.模拟电路基础知识是什么

模电就是处理模拟电子信号的东西(连续变化的电子信号,就像温度的连续变化一样),其实说全面点,模电包括“低频电子”和“高频电子”,普通电子专业的模电教材是低频的,而高频有专门的教材。

初学者先学低频吧。

这个知识就太多了,因为信号是很复杂的,用到的东西当然多了。

其实放大就是模电里很核心的一块内容的,不要单纯地去理解“放大”,要按照用途来理解,比如阻抗变换等等。. 其实对于初学者,能把二极管、三极管的原理与电路弄清楚就OK了,再适当地接触下电容和电感,把它们的典型电路和原理弄清楚了,模电就学成了。

模电基础知识微盘

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