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首页 » 基础知识 » mos测试需要了解哪些(mos认证考试主要考些什么)

mos测试需要了解哪些(mos认证考试主要考些什么)

分类:基础知识 日期:2022-06-02 17:18 浏览:77 次

1.mos认证考试主要考些什么

1、MOS都是在线考试,需要到MOS指定的考点进行考试。

MOS采取随报随考的方式,报名时可以选定考试时间。 2、在线考试的过程中如果出现网络或机器问题造成无法进行考试,可以立即联系监考老师,服务器上会记录你已经答完的试题,重启机器或换机器可以继续考试。

3、Mos 专业级Specialist(初级)包括Word Specialist、Excel Specialist、PowerPoint Specialist、Access Specialist、Outlook Specialist共五门。题型全部是实际操作题,与教材上题型相同。

常见题目如下:文档中插入图形、设置共享、制作宏、邮件合并等等,题目不是很难,只要认真地将教材上的全部习题做完,一定可以通过考试。

2.MOS管到底怎么测

对于一只型号标示不清或无标志的三极管,要想分辨出它们的三个电极,也可用万用表测试。

先将万用表量程开关拨在R*100或R*1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极,黑表笔依次接触另外两个电极,分别测量它们之间的电阻值,若测出均为几百欧低电阻时,则红表笔接触的电极为基极b,此管为PNP管。

若测出均为几十至上百千欧的高电阻时,则红表笔接触的电极也为基极b,此管为NPN管。 在判别出管型和基极b的基础上,利用三极管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理确定集电极。

任意假定一个电极为c极,另一个电极为e极。将万用表量程开关拨在R*1k电阻挡上。

对于:PNP管,令红表笔接c极,黑表笔接e极,再用手同时捏一下管子的b、c极,但不能使b、c两极直接相碰,测出某一阻值。然后两表笔对调进行第二次测量,将两次测的电阻相比较,对于:PNP型管,阻值小的一次,红表笔所接的电极为集电极。

对于NPN型管阻值小的一次,黑表笔所接的电极为集电极! 查看原帖>>。

3.MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法:以N沟道MOS场效应管为例。

一、先确定MOS管的引脚:1、先对MOS管放电,将三个脚短路即可;1、首先找出场效应管的D极(漏极)。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管,它们的散热片在内部是与管子的D极相连的,故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚,哪个引脚与散热片相连,哪个引脚就是D极。

2、找到D极后,将万用表调至二极管档;3、用黑表笔接触管子的D极,用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若接触到某个引脚时,万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降,那么该引脚即为S极(源极),剩下的那个引脚即为G极(栅极)。

二、MOS管好坏的测量:1、当把红表笔放在S极上,黑表笔放在D极上,可以测出来这个导通压降,一般在0.5 V左右为正常;2、G脚测量,需要先对G极充下电,把红表笔放在G极,黑表笔放在S极;3、再次把红表笔放在S极上,黑表笔放在D极上,可以测出来这个放大压降,一般在0.3 V左右为正常;扩展资料 MOS管的主要参数1、开启电压VT 开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。2、直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 这一特性有时以流过栅极的栅流表示 MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3.、漏源击穿电压BVDS 在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ID剧增的原因有下列两个方面:(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿;(2)漏源极间的穿通击穿;有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID。4、栅源击穿电压BVGS 在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。

5、低频跨导gm 在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导;gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一个重要参数 一般在十分之几至几mA/V的范围内6、导通电阻RON 导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数 在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间 由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似 ·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内7、极间电容 三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS CGS和CGD约为1~3pF,CDS约在0.1~1pF之间8、低频噪声系数NF 噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化 噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)。

这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小 低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数 场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小。

mos测试需要了解哪些基础知识

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